德克萨斯大学研发出新的 VR 头显以测量大脑活动

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　　最近，德克萨斯大学奥斯汀分校的研究人员通过开发一种改进的 VR 头显来测量大脑活动，在 VR 技术方面取得了突破性的进步。集成到 Meta VR 头显中的非侵入性脑电图（EEG）传感器可实现舒适和身临其境的体验。通过测量 VR 交互过程中大脑的电活动，这种创新设备开辟了一系列应用，从帮助焦虑症患者到研究人机交互。

　　成本和不便的问题阻碍了以前将 VR 与 EEG 传感器相结合的尝试。现有的脑电图设备由覆盖有电极的盖子组成，与 VR 头显不兼容。由于头发阻碍了与头皮的直接接触，因此很难获得单个电极的准确读数。传统的刚性和梳状电极给用户带来了不适。
　　为了克服这些挑战，德克萨斯大学奥斯汀分校的研究人员引入了一种由柔软导电材料制成的海绵状电极。这些电极集成在改装后的 VR 头显顶部带子和前额垫中，解决了对舒适性和准确性的担忧。头显背面内置了一个带有 trac 的柔性电路，与脑电图记录设备一起内置。
　　VR 脑电头显可以以多种方式使用，可用来测量大脑活动，还可以帮助人们使用飞行模拟器、评估心理压力水平等。
　　为了验证 VR-EEG 头显的功能，研究人员与脑机接口专家 José del R。 Millán 教授合作开发了一款驾驶模拟游戏。在游戏中，用户必须通过触摸按钮对转弯命令做出反应。EEG 测量用户的大脑活动，并在驾驶模拟期间提供有关其注意力的信息。
　　目前，研究团队已经提交了创新脑电图技术的初步专利文件，并愿意与其他 VR 公司合作，将其集成到他们的头显中。
  

                                      

本文来自http://vr.sina.com.cn/news/yx/2023-08-11/doc-imzfvkcv5718757.shtml